等离子增强化学气相沉积设备
发布时间：
2026-04-28
发布于
北京朝阳
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后查看完整商机。全国免费咨询热线:400-888-7022| 等离子增强化学气相沉积设备 | |
| 项目所在采购意向： | 中国科学院微电子研究所*开通会员可解锁*政府采购意向 |
| 采购单位： | 中国科学院微电子研究所 |
| 采购项目名称： | 等离子增强化学气相沉积设备 |
| 预算金额： | 3600.000000万元(人民币) |
| 采购品目： | A02330300电子工业生产设备 |
| 采购需求概况 ： | 用于生长逻辑芯片制造中最核心的6类介质与半导体薄膜，具体包括：二氧化硅（SiO？）、氮化硅（SiN）、氮氧化硅（SiON）、碳掺氧化硅（SiCO）、先进图形化膜（APF）以及非晶硅（a-Si）。这6类薄膜分别承担绝缘隔离、刻蚀阻挡/钝化保护、抗反射层、低介电常数（低k）延迟减小、光刻图形化辅助以及结构支撑等关键功能，贯穿逻辑芯片从前端器件到后端互连的全流程。 |
| 预计采购时间： | 2026-07 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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