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后查看完整商机。全国免费咨询热线:400-888-7022| 碳化硅高温氧化炉 | |
| 项目所在采购意向： | 中国科学院半导体研究所*开通会员可解锁*政府采购意向 |
| 采购单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 采购项目名称： | 碳化硅高温氧化炉 |
| 预算金额： | 540.000000万元(人民币) |
| 采购品目： | A02330300 |
| 采购需求概况 ： | 设备最高温度能够达到1500℃；设备在控温精度和温度均匀性方面，能够保证所制备氧化层的均匀性和工艺重复性；设备维持较低的炉体漏率，能够充分保证非工艺气体的影响。该设备是碳化硅材料氧化，尤其是高质量SiC MOSFET高质量栅介质层制备的必要设备。 |
| 预计采购时间： | 2026-06 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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