12吋高深宽比工艺氧化硅填充化学气相沉积系统
发布时间：
2026-04-02
发布于
北京朝阳
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后查看完整商机。全国免费咨询热线:400-888-7022| 12吋高深宽比工艺氧化硅填充化学气相沉积系统 | |
| 项目所在采购意向： | 中国科学院微电子研究所2026年6至12月政府采购意向 |
| 采购单位： | 中国科学院微电子研究所 |
| 采购项目名称： | 12吋高深宽比工艺氧化硅填充化学气相沉积系统 |
| 预算金额： | 5237.000000万元(人民币) |
| 采购品目： | A02330300-电子工业生产设备 |
| 采购需求概况 ： | 设备名称：12吋高深宽比工艺氧化硅填充化学气相沉积系统。用于CFET/GAA器件高深宽比STI沟槽的填充，具备小尺寸高深宽比三维结构介质填充能力，深宽比≥5：1。采购数量1台。 |
| 预计采购时间： | 2026-06 |
| 备注： | |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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