【黄冈市中心】高新区鑫耀半导体有限公司高品质砷化镓晶片新建项目项目报建公告(项目编号HBHG-202512FJ-006)
发布时间:
2025-12-29
发布于
湖北黄冈
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建 设 单 位(或招标人) 湖北鑫耀半导体有限公司
项 目 名 称 高新区鑫耀半导体有限公司高品质砷化镓晶片新建项目
项 目 地 点 湖北省黄冈市黄冈高新区生物医药化工园鹰岭路和外环路交界处
建设(招标)内容 项目用地面积26666.7㎡,拟新建厂房、原辅料库、研发中心、大宗气站、化学品库等共14674㎡,购置砷化镓主要工艺设备771台及石英管生产主要工艺设备21台,搬迁原有设备379台,建设一条年产70万片6英寸高品质砷化镓晶片产线及一条年产3万套半导体级4-6英寸石英管生产线。
总投资额(万元) 27230.0
立项批准文号 2511-42*开通会员可解锁*-304435
登记完成时间 2025/12/29
预计发包时间 2025/12/29
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