存储芯片用氮化钛底电极衬底
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发布时间：
2025-11-20
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发布时间：*开通会员可解锁* 10:03:19
截止时间：*开通会员可解锁* 12:00:00
基本信息：
申购主题：存储芯片用氮化钛底电极衬底
送货时间：合同签订后7个日历日内交货，产品如有附件、备品备件及专用工具应随产品一同交付
报价要求：
安装要求：免费上门安装（含材料费）
付款方式：货到验收合格后付款
收货地址：广东省/深圳市/南山区/****
备注说明：
采购明细
| 序号 | 采购内容 | 数量/单位 | 预算单价 | 品牌 | 型号 | 规格参数 | 质保及售后服务 | 附件 |
| 1 | 存储芯片用氮化钛底电极衬底 | 5.0 | *开通会员可解锁*.0 | 无 | SEMI标准的300 mm单晶硅晶圆片 | 300 mm标准晶圆搭载定制化存储芯片专用TiN电极阵列与互联结构，其表面各电极阵列均配置2个TiN公共电极及若干TiN独立电极，所有TiN电极向下衔接定制化独立单元结构，底层与晶圆衬底相连，TiN电极的电阻率介于50-200 μΩ·cm之间，热导率介于5-20 W/m·K之间。TiN独立电极采用直径90-100 nm、高度90 nm的圆柱体设计，与单元结构直接连接，且TiN电极高度不低于周围氧化硅，高度差控制在5 nm以内；电极间隙填充SiO2绝缘介质层，该介质层需满足介电常数3.9-4.1（1 MHz下）、击穿电场强度≥ 10 MV/cm、表面粗糙度RMS值＜ 0.2 nm的关键要求，确保绝缘性能与结构稳定性。定制化独立单元结构按从上至下顺序依次为50 nmTiN层、250 nmAl层及50 nmTiN层，通过Al层重布线层（RDL）实现单元结构间高效电气互联，RDL线宽/线距需≤2/2 μm。晶圆加工工艺需满足TiN电极结构、独立单元结构及重布线层图形的最小线宽设计规则，其中重布线层最小线宽不大于2 μm，确保图形精度与器件长期可靠性。 | (1) 质保期限为5年；(2) 提供优质的售后技术支持服务，开通热线电话接受甲方的电话技术咨询，如故障不能排除，须在48小时内提供解决方案和现场服务，待产品运行正常后撤离现场。如遇特殊情况，无法现场解决问题的，需提供备用货物服务保障正常工作。 |
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